2S167 - Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors.

Marquage composant: 2S167

Matériau utilisé: Ge

Polarité du transistor: PNP

Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.125

Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 20

Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 18

Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 10

Courant collecteur maximal (Ic): 0.125

Température maximale de jonction (Tj), °C: 75

Fréquence maximale de fonctionnement fT: 4

Capacite collecteur (Cc), pF: 15

Gain en courant DC hFE (hfe): 70

Boitier: TO5

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2S167 - Fiche technique PDF, Datasheet

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