2SB1243
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2SB1243
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 1
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 60
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 60
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 195
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 180
Boitier: SOT33
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2SB1243
) 2SB1243
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. 2sb1066m_2sb1243.pdf  Size:46K _rohm 1.2. 2sb1184_2sb1243_2sb1185.pdf Size:129K _rohm 1.3. 2sb1184_2sb1243.pdf Size:244K _rohm  |
 | )
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE (V)
Fig.1 Grounded emitter Fig.2 Grounded emitter output Fig.3 Grounded emitter output
propagation characteristics characteristics ( ? ) characteristics ( ?? )
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COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
Data downloaded from http://www.angliac.com - the website of Anglia - tel: 01945 474747
2SB1184 / 2SB1243
Transistors
1000 1k -10
Ta=25°C |
1.4. 2sb1243.pdf Size:141K _rohm  |
 | .5 DC current gain vs.
voltage vs.collector current
collector current ( ) collector current ( )
1000 1000
-10
Ta=25°C Ta=25°C
lC/lB=10
500
VCE= -5V
-5 500 f=1MHz
IE=0A
Ta= -25°C
200
25°C 200
-2
VBE(sat)
100°C
100
-1 100
-0.5 50 50
20
20
-0.2
Ta=100°C
25°C 10 10
-0.1
-25°C
5
5
-0.05
VCE(sat)
2
2
-0.02
1 1
-0.01
1 2 5 10 20 50 100 200 5001000 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10 -20 -50 -100
-0.01 -0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2 -5 -10
EMITTER CURRENT : IE (mA) COLLEC |
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