2SB1305
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2SB1305
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 0.75
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 30
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 30
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 5
Courant collecteur maximal (Ic): 5
Température maximale de jonction (Tj), °C: 230
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 180
Boitier: TO92
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2SB1305
) 2SB1305
- Fiche technique PDF, Datasheet
4.1. 2sb1302.pdf  Size:291K _sanyo  |
 | --2V, IC=--500mA 100* 400*
DC Current Gain
hFE2 VCE=--2V, IC=--4A 60
Gain-Bandwidth Product fT VCE=--5V, IC=--200mA 320 MHz
Output Capacitance Cob VCB=--10V, f=1MHz 60 pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC=--3A, IB=--60mA --250 --500 mV
Base-to-Emitterr Saturation Voltage VBE(sat) IC=--3A, IB=--60mA --1.0 --1.3 V
Collector-to-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC=--10?A, IE=0A --25 V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC=--1mA, RBE=? --20 V
Emitter-to-Base Bre |
4.2. 2sb1300.pdf Size:134K _nec 4.3. 2sb1308.pdf Size:37K _rohm 4.4. 2sb1308_2sd1963.pdf Size:47K _rohm 4.5. 2sb1308.pdf Size:183K _htsemi D'autres types de transistors... 2SB1300
, 2SB1301
, 2SB1302
, 2SB1302R
, 2SB1302S
, 2SB1302T
, 2SB1303
, 2SB1304
, AC125
, 2SB1306
, 2SB1307
, 2SB1308P
, 2SB1308Q
, 2SB1308R
, 2SB1309
, 2SB131
, 2SB1310
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