2SB1369
- Les principales caractéristique des transistors bipolaires. Caractéristiques techniques. Répertoire mondial des transistors. Marquage composant: 2SB1369
Matériau utilisé: Si
Polarité du transistor: PNP
Puissance dissipable maximale pour une température du boitier de 25°C (Pc): 40
Tension collecteur–base (maximale) Ucb: 60
Tension maximale de VCE au delà de laquelle le transistor risque d'être détruit (Uce): 45
Tension émetteur–base (maximale) Ueb: 6
Courant collecteur maximal (Ic): 3
Température maximale de jonction (Tj), °C: 175
Fréquence maximale de fonctionnement fT:
Capacite collecteur (Cc), pF:
Gain en courant DC hFE (hfe): 120
Boitier: TO220
Recherche équivalences (un remplaçant pour le transistor 2SB1369
) 2SB1369
- Fiche technique PDF, Datasheet
1.1. 2sb1369.pdf  Size:116K _inchange_semiconductor 4.1. 2sb1361.pdf Size:51K _panasonic  |
 | power dissipation
P W
( )
FE
CE(sat)
(
)
T
Transition frequency
f MHz
Forward current transfer ratio
h
Collector to emitter saturation voltage
V
V
(
)
ob
( )
C
Collector current
I A
Collector output capacitance
C
pF
Power Transistors 2SB1361
Rth(t) —t
10000
Note: Rth was measured at Ta=25?C and under natural convection.
(1) PT=10V ? 0.3A (3W) and without heat sink
(2) PT=10V ? 1.0A (10W) and with a 100 ? 100 ? 2mm Al heat sink
1000
100
(1)
(2)
10
1
0.1
10– |
4.2. 2sb1366.pdf Size:176K _inchange_semiconductor 4.3. 2sb1362.pdf Size:125K _inchange_semiconductor 4.4. 2sb1367.pdf Size:150K _inchange_semiconductor 4.5. 2sb1368.pdf Size:157K _inchange_semiconductor 4.6. 2sb1361.pdf Size:233K _inchange_semiconductor D'autres types de transistors... 2SB1361
, 2SB1362
, 2SB1363
, 2SB1364
, 2SB1365
, 2SB1366
, 2SB1367
, 2SB1368
, 100DA025D
, 2SB136A
, 2SB137
, 2SB1370
, 2SB1371
, 2SB1372
, 2SB1373
, 2SB1375
, 2SB1376
.
|
