FII50-12E IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet.

Tipo: FII50-12E

Struttura interna di un IGBT: N-Channel

Potenza massima dissipabile (Pc):

Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 1200V

Tensione di saturazione drain source (Ucesat): 2V

Massima tensione gate-source (Ueg):

Massima corrente continuativa (Ic): 50A

Temperatura di giunzione (Tj), °C:

Tempo di salita del fronte di corrente: 0

Capacità di uscita (Cc), pF:

Pack: ISOPLUS_i4-PAC(5-Lead)

Equivalente per i FII50-12E

FII50-12E - Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF

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