Tutti i transistor e i loro equivalenti

 

CT60AM-18F IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet.

Tipo: CT60AM-18F

Struttura interna di un IGBT: N-Channel

Potenza massima dissipabile (Pc): 180W

Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 900V

Tensione di saturazione drain source (Ucesat): 2.1V

Massima tensione gate-source (Ueg): 30V

Massima corrente continuativa (Ic): 60A

Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150

Tempo di salita del fronte di corrente: 50

Capacità di uscita (Cc), pF: 4400pF

Pack: TO3PL

Equivalente per i CT60AM-18F

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CT60AM-18F
CT60AM-18F

MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 ?3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC .........................................................................................60A GATE Simple drive COLLECTOR EMITTER In

Altri tipi di IGBT... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , IKW50N60T(Marking Code K50T60) , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , G10N40 , G10N40C1 , G10N40E1 , G10N50 .

 


CT60AM-18F
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