Tutti i transistor e i loro equivalenti

 

G7N60C3D IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet.

Tipo: G7N60C3D

Struttura interna di un IGBT: N-Channel

Potenza massima dissipabile (Pc): 60W

Tensione tra collettore ed emettitore (Vce): 600V

Tensione di saturazione drain source (Vcesat): 2V

Massima tensione gate-source (Veg): 20V

Massima corrente continuativa (Ic): 14A

Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150

Tempo di salita del fronte di corrente: 8.5

Capacità di uscita (Cc), pF:

Pack: TO220AB

Equivalente per i G7N60C3D

G7N60C3D PDF doc:

5.1. hgtp7n60a4_hgtg7n60a4_hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
G7N60C3D

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have the high i

Altri tipi di IGBT... G3N60C3D , G40N60B3 , G6N40E , G6N40E1D , G6N50E , G6N50E1D , G7N60C , G7N60C3 , IKW40T120 , G8P50G , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U .

 


G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
 
G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
 

social 

LIST

Ultimo aggiornamento

IGBT IXYH30N65C3H1 | IXYH30N65C3 | IXYH30N65B3D1 | IXYH30N450HV | IXYH30N170C | IXYH24N90C3D1 | IXYH24N90C3 | IXYH20N65C3 | IXYH20N65B3 | IXYH120N65C3 |

Tra 2 e 10 caratteri (Solo numeri e lettere)