GT25Q101
IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: GT25Q101
Struttura interna di un IGBT: N-Channel
Potenza massima dissipabile (Pc): 200W
Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 1200V
Tensione di saturazione drain source (Ucesat): 4V
Massima tensione gate-source (Ueg):
Massima corrente continuativa (Ic): 25A
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150
Tempo di salita del fronte di corrente: 500
Capacità di uscita (Cc), pF:
Pack: TO264
Equivalente per i GT25Q101
GT25Q101
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDFPDF al momento non disponibile! Altri tipi di IGBT... GT20G101
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