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IGD01N120H2
IGBT. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: IGD01N120H2
Struttura interna di un IGBT: N-Channel
Potenza massima dissipabile (Pc): 28W
Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 1200V
Tensione di saturazione drain source (Ucesat): 2.5V
Massima tensione gate-source (Ueg):
Massima corrente continuativa (Ic): 3.2A
Temperatura di giunzione (Tj), °C:
Tempo di salita del fronte di corrente:
Capacità di uscita (Cc), pF:
Pack: DPAK(TO252)
Equivalente per i IGD01N120H2
IGD01N120H2
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
1.1. igp01n120h2_igd01n120h2_rev2_4g.pdf  Size:971K _infineon  |
 | ent, tp limited by Tjmax ICpul s 3.5
Turn off safe operating area - 3.5
VCE ? 1200V, Tj ? 150°C
Gate-emitter voltage VGE V
±20
Power dissipation Pt ot 28 W
TC = 25°C
Operating junction and storage temperature Tj , Tst g -40...+150
°C
Soldering temperature -
PG-TO-252: Reflow soldering, MSL3 260
Others: wavesoldering, 1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
260
2
J-STD-020 and JESD-022
1 Rev. 2.4 Sept. 07
Power Semiconductors
IGP01N120H2
IGD01N120H2
Thermal Resist |
Altri tipi di IGBT... SGP15N120
, SGB15N60HS
, SGW20N60HS
, SGW30N60HS
, SGW50N60HS
, SGP20N60HS
, SGP30N60HS
, IGB01N120H2
, CT60AM-18B
, IGA03N120H2
, IGB03N120H2
, IGW03N120H2
, IGP01N120H2
, IGP03N120H2
, IGW25N120H3
, IGW15N120H3
, IGW40N120H3
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