IRFH5220
MOSFET. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: IRFH5220
Struttura del transistor: MOSFET
Canale di conduzione: N
Potenza massima dissipabile (Pd):
Tensione di blocco drain source (Uds): 200V
Massima tensione gate-source (Ugs): 20
Massima corrente continuativa (Id): 20
Temperatura di giunzione (Tj), °C:
Tempo di salita del fronte di corrente (tr):
Capacità di uscita (Cd), pf:
Resistenza di uscita (Rds), Ohm: 0.0999
Pack: PQFN_5_x_6_B
Equivalente per i IRFH5220
IRFH5220
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