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HN1J02FU
MOSFET. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: HN1J02FU
Struttura del transistor: MOSFET
Canale di conduzione: P
Potenza massima dissipabile (Pd):
Tensione di blocco drain source (Uds): 20V
Massima tensione gate-source (Ugs): 7
Massima corrente continuativa (Id): 0.05
Temperatura di giunzione (Tj), °C:
Tempo di salita del fronte di corrente (tr):
Capacità di uscita (Cd), pf:
Resistenza di uscita (Rds), Ohm: 40
Pack: SOT363/SC88/US6
Equivalente per i HN1J02FU
HN1J02FU
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
1.1. hn1j02fu_071101.pdf  Size:314K _toshiba  |
 | ility upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* Total rating
1 2007-11-01
HN1J02FU
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Test
Characteristic Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit
Circuit
Gate leakage current IGSS ? VGS = -7V, VDS = 0 ?
? -1 ?A
Drain-source breakdown
V (BR) DSS ? ID |
Altri tipi di transistor... 2SK4014
, 2SK4017
, 2SK4023
, 2SK4026
, 2SK4033
, 2SK4034
, 2SK4115
, 2SK4207
, IRF630
, HN1K02FU
, HN1K03FU
, HN1K04FU
, HN1K05FU
, HN1K06FU
, HN1L02FU
, HN1L03FU
, HN4K03JU
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