PHD55N03LT
MOSFET. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: PHD55N03LT
Struttura del transistor: MOSFET
Canale di conduzione: N
Potenza massima dissipabile (Pd): 103
Tensione di blocco drain source (Uds): 25V
Massima tensione gate-source (Ugs):
Massima corrente continuativa (Id): 25
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150
Tempo di salita del fronte di corrente (tr):
Capacità di uscita (Cd), pf:
Resistenza di uscita (Rds), Ohm: 0.018
Pack: SOT428
Equivalente per i PHD55N03LT
PHD55N03LT
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
1.1. phb55n03lt_phd55n03lt_php55n03lt_6.pdf  Size:109K _philips2  |
 | drain
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VDSS Drain-source voltage Tj = 25 ?C to 175?C - 25 V
VDGR Drain-gate voltage Tj = 25 ?C to 175?C; RGS = 20 k? -25 V
VGS Gate-source voltage (DC) - ± 15 V
VGSM Gate-source voltage (pulse Tj ? 150?C - ± 20 V
peak value)
ID Drain current (DC) Tmb = 25 ?C - 55 A
Tmb = 100 ?C - 38 A
IDM Drain current (pulse peak Tmb = 25 ?C - 220 A
value)
Ptot Total po |
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