FQP55N10
MOSFET. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: FQP55N10
Struttura del transistor: MOSFET
Canale di conduzione: N
Potenza massima dissipabile (Pd):
Tensione di blocco drain source (Uds): 100V
Massima tensione gate-source (Ugs):
Massima corrente continuativa (Id): 55.0
Temperatura di giunzione (Tj), °C:
Tempo di salita del fronte di corrente (tr):
Capacità di uscita (Cd), pf:
Resistenza di uscita (Rds), Ohm: 0.026
Pack: TO220
Equivalente per i FQP55N10
FQP55N10
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
1.1. fqp55n10.pdf  Size:666K _fairchild_semi  |
 | Current - Continuous (TC = 25°C)
55 A
- Continuous (TC = 100°C)
38.9 A
IDM (Note 1) 220 A
Drain Current - Pulsed
VGSS
Gate-Source Voltage ± 25 V
EAS (Note 2) 1100 mJ
Single Pulsed Avalanche Energy
IAR (Note 1) 55 A
Avalanche Current
EAR (Note 1) 15.5 mJ
Repetitive Avalanche Energy
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 6.0 V/ns
PD Power Dissipation (TC = 25°C)
155 W
- Derate above 25°C 1.03 W/°C
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range -55 to +175 °C
Maximum lead te |
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