BD746E
. Il Transistor Bipolare. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: BD746E
Materiale principale: Si
Struttura: PNP
Potenza massima dissipabile (Pc): 115
Tensione tra collettore e base (Ucb): 150
Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 140
Tensione tra base ed emettitore (Ueb): 5
Massima corrente continuativa (Ic): 20
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150
Frequenza di transizione (ft): 5
Capacità di uscita (Cc), Pf:
Il guadagno di tensione in continua (hfe): 20
Pack: TO218
Equivalente per i BD746E
BD746E
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
5.1. bd746-a-b-c.pdf  Size:86K _bourns  |
 | d inductive load energy (see Note 4) ?LIC2 90 mJ
Operating free air temperature range TA -65 to +150 °C
Operating junction temperature range Tj -65 to +150 °C
Storage temperature range Tstg -65 to +150 °C
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds TL 260 °C
NOTES: 1. This value applies for tp ? 0.3 ms, duty cycle ? 10%.
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.92 W/°C.
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 28 mW/°C.
4. This rating is b |
5.2. bd746_a_b_c.pdf Size:93K _inchange_semiconductor  |
 | cification
Silicon PNP Power Transistors BD746/A/B/C
CHARACTERISTICS
Tj=25? unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT
BD746 -45
BD746A -60
V(BR)CEO Collector-emitter IC=-30mA; IB=0 V
breakdown voltage
BD746B -80
BD746C -100
VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=-5 A;IB=-0.5 A -1.0 V
VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=-20 A;IB=-5 A -3.0 V
VBE -1 Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-4V -1.0 V
VBE -2 Base-emitter on volt |
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