BF823
. Il Transistor Bipolare. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: BF823
Materiale principale: Si
Struttura: PNP
Potenza massima dissipabile (Pc): 0.31
Tensione tra collettore e base (Ucb): 250
Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 250
Tensione tra base ed emettitore (Ueb): 0
Massima corrente continuativa (Ic): 0.05
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150
Frequenza di transizione (ft): 30
Capacità di uscita (Cc), Pf:
Il guadagno di tensione in continua (hfe): 50
Pack: SOT23
Equivalente per i BF823
BF823
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
1.1. bf821_bf823.pdf  Size:99K _philips  |
 | NP high-voltage transistors BF821; BF823
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
BF821 - -300 V
BF823 - -250 V
VCEO collector-emitter voltage open base
BF821 - -300 V
BF823 - -250 V
VEBO emitter-base voltage open collector - -5 V
IC collector current (DC) - -50 mA
ICM peak collector current - -100 mA
IBM peak base current - -50 mA
Ptot total power dissipati |
1.2. bf821_bf823_3.pdf Size:47K _philips  |
 | ge open base
BF821 - -300 V
BF823 - -250 V
VEBO emitter-base voltage open collector - -5 V
IC collector current (DC) - -50 mA
ICM peak collector current - -100 mA
IBM peak base current - -50 mA
Ptot total power dissipation Tamb ? 25 °C; note 1 - 250 mW
Tstg storage temperature -65 +150 °C
Tj junction temperature - 150 °C
Tamb operating ambient temperature -65 +150 °C
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
1999 Apr 15 2
Philips Semiconductors Product specificat |
Altri tipi di transistor... BF819
, BF819A
, BF820
, BF820S
, BF821
, BF821S
, BF822
, BF822S
, BC157
, BF823S
, BF824
, BF840
, BF841
, BF844
, BF845
, BF847
, BF848
.
|
