BSR18AR
. Il Transistor Bipolare. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: BSR18AR
Materiale principale: Si
Struttura: PNP
Potenza massima dissipabile (Pc): 0.2
Tensione tra collettore e base (Ucb): 40
Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 40
Tensione tra base ed emettitore (Ueb): 5
Massima corrente continuativa (Ic): 0.2
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 150
Frequenza di transizione (ft): 250
Capacità di uscita (Cc), Pf: 4.5
Il guadagno di tensione in continua (hfe): 100
Pack: SOT23
Equivalente per i BSR18AR
BSR18AR
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
4.1. bsr18a.pdf  Size:53K _philips  |
 | 300
fT transition frequency IC = -10 mA; VCE = -20 V; f = 100 MHz 250 - MHz
toff turn-off time ICon = -10 mA; IBon = -1 mA; IBoff =1mA - 300 ns
1997 May 28 2
Philips Semiconductors Product specification
PNP switching transistor BSR18A
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter --40 V
VCEO collector-emitter voltage open base --40 V
VEBO emitter-base voltage open c |
4.2. bsr18a.pdf Size:74K _fairchild_semi  |
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Symbol Characteristic Max Units
*BSR18A
PD Total Device Dissipation 350 mW
Derate above 25 C 2.8 mW/ C
° °
R?JA Thermal Resistance, Junction to Ambient 357 C/W
°
*Device mounted on FR-4 PCB 40 mm X 40 mm X 1.5 mm.
©1997 Fairchild Semiconductor Corporation
BSR18A
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown 40 V
IC = 10 |
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