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2SB1119R
. Il Transistor Bipolare. Curve Caratteristiche. Datasheet. Tipo: 2SB1119R
Materiale principale: Si
Struttura: PNP
Potenza massima dissipabile (Pc): 0.75
Tensione tra collettore e base (Ucb): 25
Tensione tra collettore ed emettitore (Uce): 25
Tensione tra base ed emettitore (Ueb): 9
Massima corrente continuativa (Ic): 1
Temperatura di giunzione (Tj), °C: 165
Frequenza di transizione (ft): 180
Capacità di uscita (Cc), Pf: 25
Il guadagno di tensione in continua (hfe): 100
Pack: SP0
Equivalente per i 2SB1119R
2SB1119R
- Potete trovare data sheet, manuali di istruzioni e altre informazioni per il vostro lavoro disponibili per il download in formato PDF
3.1. 2sb1119.pdf  Size:85K _sanyo 3.2. 2sb1119-1619.pdf Size:140K _secos  |
 | own voltage V(BR)CEO IC= -1 mA , IB=0 -25 V
Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -10 A IC=0 -5 V
Collector cut-off current ICBO VCB= -20 V , IE=0 -0.1 A
Collector cut-off current ICEO VCE= -20 V , IB=0 -0.1 A
Emitter cut-off current IEBO VEB=-4V , IC=0 -0.1 A
hFE 1 VCE= -2V, IC= -50mA 100 560
DC current gain
hFE 2 VCE=-2V, IC= -1A 40
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-0.5A, IB= -50mA -0.7 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-0.5A, IB= -50mA |
3.3. 2sb1119.pdf Size:184K _htsemi  |
 | nt gain
hFE(2) VCE=-2V, IC=-1A 40
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=-500mA,IB=-50mA -0.7 V
Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=-500mA,IB=-50mA -1.2 V
Collector output capacitance Cob VCB=-10V,IE=0, f=1MHz 25 pF
Transition frequency fT VCE=-10V,IC=-50mA, 180 MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
RANK R S T U
RANGE 100–200 140–280 200–400 280–560
MARKING BB
1
JinYu
www.htsemi.com
semiconductor
Date:2011/05
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Altri tipi di transistor... 2SB1116
, 2SB1116A
, 2SB1117
, 2SB1118
, 2SB1118S
, 2SB1118T
, 2SB1118U
, 2SB1119
, TIP122
, 2SB1119S
, 2SB1119T
, 2SB1119U
, 2SB112
, 2SB1120
, 2SB1120E
, 2SB1120F
, 2SB1120G
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