バイポーラトランジスタデータシート

 

CXT591E トランジスタデータシート

品名: CXT591E

材料: Si

種類: PNP

コレクタ損失 (Pc): 1.2

コレクタ·ベース間電圧 (Ucb): 80

コレクタ·エミッタ間電圧 (Uce): 60

エミッタ·ベース間電圧 (Ueb): 5

コレクタ電流(直流) (Ic): 1

接合部温度 (Tj): 150

利得帯域幅積 (ft): 150

出力容量 (Cc), pF: 10

直流電流増幅率 (hfe): 200

パッケージ: SOT89

CXT591E 同 等 品。 仕 様

CXT591E PDF:

1.1. cxt591e.pdf Size:528K _central

CXT591E
CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

データーシート ... CXT3090L , CXT3150 , CXT3410 , CXT3820 , CXT491E , CXT5401E , CXT5551E , CXT5551HC , 2N4403 , CXT7090L , CXT7410 , CXT7820 , RN2609 , CTLM3410-M832D , CTLM3474-M832D , CTLM7410-M832D , CTLT3410-M621 .

 


CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
 
CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
 

social 

製品情報

最終更新

BJT INC5006AC1 | INC5004AP1 | INC5004AC1 | INC5003AH1 | INC5002AP1 | INC5001AP1 | INC5001AC1 | NTE219 | NTE159 | NTE157 | NTE154 | NTE153 | NTE152 | NTE130 | NTE13 | NTE129P | NTE128P | INC6008AP1 | INC6008AC1 | INC6007AP1 |



名前は最低2文字以上でなければいけません。