バイポーラトランジスタデータシート

 

CXT591E トランジスタデータシート

品名: CXT591E

材料: Si

種類: PNP

コレクタ損失 (Pc): 1.2

コレクタ·ベース間電圧 (Vcb): 80

コレクタ·エミッタ間電圧 (Vce): 60

エミッタ·ベース間電圧 (Veb): 5

コレクタ電流(直流) (Ic): 1

接合部温度 (Tj): 150

利得帯域幅積 (ft): 150

出力容量 (Cc), pF: 10

直流電流増幅率 (hfe): 200

パッケージ: SOT89

CXT591E 同 等 品。 仕 様

CXT591E PDF:

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CXT591E
CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

データーシート ... CXT3090L , CXT3150 , CXT3410 , CXT3820 , CXT491E , CXT5401E , CXT5551E , CXT5551HC , 2N4403 , CXT7090L , CXT7410 , CXT7820 , RN2609 , CTLM3410-M832D , CTLM3474-M832D , CTLM7410-M832D , CTLT3410-M621 .

 


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