Справочник IGBT. G7N60C3D

 

G7N60C3D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: G7N60C3D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 8.5

Корпус: TO220AB

Аналог (замена) для G7N60C3D

G7N60C3D PDF doc:

5.1. hgtp7n60a4_hgtg7n60a4_hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
G7N60C3D

HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 HGTP7N60A4 Data Sheet September 2004 600V, SMPS Series N-Channel IGBT Features The HGT1S7N60A4S9A, HGTG7N60A4 and HGTP7N60A4 >100kHz Operation at 390V, 7A are MOS gated high voltage switching devices combining 200kHz Operation at 390V, 5A the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These 600V Switching SOA Capability devices have the high i

Другие IGBT... G3N60C3D , G40N60B3 , G6N40E , G6N40E1D , G6N50E , G6N50E1D , G7N60C , G7N60C3 , IKW40T120 , G8P50G , GA100TS120U , GA100TS60U , GA125TS120U , GA150TD120U , GA150TS60U , GA200SA60S , GA200SA60U .

 


G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
 
G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
  G7N60C3D
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: VS-GT75NP120N | VS-GT50TP60N | VS-GT50TP120N | VS-GT400TH60N | VS-GT400TH120U | VS-GT400TH120N | VS-GT300YH120N | VS-GT300FD060N | VS-GT175DA120U | VS-GT140DA60U |
 

Введите не менее 2-х символов!