IGBT. Справочник. Даташиты

 

GT60M303 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: GT60M303

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc):

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 15V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 400

Емкость коллектора (Cc), pf:

Корпус: TO264

Аналог (замена) для GT60M303

GT60M303 PDF doc:

1.1. gt60m303.pdf Size:420K _toshiba

GT60M303
GT60M303

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHAR

Другие IGBT... GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT15Q101 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB .

 


GT60M303
  GT60M303
  GT60M303
  GT60M303
 
GT60M303
  GT60M303
  GT60M303
  GT60M303
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: BT15N60A9F | BT50N60ANF | BT30N60ANF | BT40N60BNF | BT15N120ANF | BT15T120ANF | BT25T120ANF | SSIG20N135H | SSIG15N135H | BRG25N120D |
 

Введите не менее 2-х символов!