IGBT. Справочник. Даташиты

 

SSIG20N135H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SSIG20N135H

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Емкость коллектора (Cc), pf: 70

Корпус: TO247

Аналог (замена) для SSIG20N135H

SSIG20N135H PDF doc:

1.1. ssig20n135h.pdf Size:614K _silikron

SSIG20N135H
SSIG20N135H

 SSIG20N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 20A @ TC = 100° C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits:  Advanced Trench-FS Process Technology  Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@20A  Fast Switching  High Input Impedance  Pb- Free Product  Power Switch Circuit of Induction Co

Другие IGBT... FGW75N60HD(75G60HD) , FGW85N60RB(85G60RB) , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , G40N60B3 , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM .

 


SSIG20N135H
  SSIG20N135H
  SSIG20N135H
  SSIG20N135H
 
SSIG20N135H
  SSIG20N135H
  SSIG20N135H
  SSIG20N135H
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: DM2G400SH6N | DM2G400SH6A | DM2G300SH6NE | DM2G300SH6A | DM2G300SH12A | DM2G200SH6N | DM2G200SH6A | DM2G200SH12AE | DM2G200SH12A | DM2G150SH6NE |
 

Введите не менее 2-х символов!