IGBT. Справочник. Даташиты

 

BT40N60BNF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: BT40N60BNF

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 312

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.6

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 47

Емкость коллектора (Cc), pf: 169

Корпус: TO3PN

Аналог (замена) для BT40N60BNF

BT40N60BNF PDF doc:

1.1. bt40n60bnf.pdf Size:105K _igbt_a

BT40N60BNF
BT40N60BNF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT40N60BNF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

1.2. bt40n60bnf.pdf Size:106K _crhj

BT40N60BNF
BT40N60BNF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT40N60BNF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 40 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.2 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

Другие IGBT... BRG15N120D , BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , G7N60C3D , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ .

 


BT40N60BNF
  BT40N60BNF
  BT40N60BNF
  BT40N60BNF
 
BT40N60BNF
  BT40N60BNF
  BT40N60BNF
  BT40N60BNF
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: STGWT60V60DF | STGWT60H65FB | STGWT60H65DFB | STGWT60H60DLFB | STGWT28IH125DF | STGWA60H65DFB | STGWA25S120DF3 | STGWA25H120F2 | STGWA25H120DF2 | STGW60V60F |
 

Введите не менее 2-х символов!