IGBT. Справочник. Даташиты

 

BT50N60ANF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: BT50N60ANF

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 312

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 49

Емкость коллектора (Cc), pf: 175

Корпус: TO3PN

Аналог (замена) для BT50N60ANF

BT50N60ANF PDF doc:

1.1. bt50n60anf.pdf Size:106K _crhj

BT50N60ANF
BT50N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

Другие IGBT... FGW50N60VD(50G60VD) , FGW75N60H(75G60H) , FGW75N60HD(75G60HD) , FGW85N60RB(85G60RB) , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , CT60AM-18F , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF .

 


BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
 
BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
  BT50N60ANF
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: BT15N60A9F | BT50N60ANF | BT30N60ANF | BT40N60BNF | BT15N120ANF | BT15T120ANF | BT25T120ANF | SSIG20N135H | SSIG15N135H | BRG25N120D |
 

Введите не менее 2-х символов!