IGBT. Справочник. Даташиты

 

BT15N60A9F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: BT15N60A9F

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.6

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 18

Емкость коллектора (Cc), pf: 94

Корпус: TO220F

Аналог (замена) для BT15N60A9F

BT15N60A9F PDF doc:

1.1. bt15n60a9f.pdf Size:102K _igbt_a

BT15N60A9F
BT15N60A9F

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15N60A9F General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 15 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 25 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.1 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature coeff

1.2. bt15n60a9f.pdf Size:102K _crhj

BT15N60A9F
BT15N60A9F

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15N60A9F General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 15 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 25 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.1 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature coeff

5.1. bt15n120anf.pdf Size:253K _igbt_a

BT15N60A9F
BT15N60A9F

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15N120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coef

5.2. bt15n120anf.pdf Size:254K _crhj

BT15N60A9F
BT15N60A9F

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15N120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 2.2 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coef

Другие IGBT... SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , 10N40F1D , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF .

 


BT15N60A9F
  BT15N60A9F
  BT15N60A9F
  BT15N60A9F
 
BT15N60A9F
  BT15N60A9F
  BT15N60A9F
  BT15N60A9F
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: NGTB40N135IHRWG | NGTB40N135IHR | NGTB30N135IHRWG | NGTB30N135IHR | NGTB20N135IHRWG | NGTB20N135IHR | NGTG25N120FL2WG | NGTG25N120FL2 | NGTB25N120SWG | NGTB25N120S |
 

Введите не менее 2-х символов!