STP150N3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: STP150N3LLH6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80

Максимальная температура канала (Tj):

Время нарастания (tr):

Выходная емкость (Cd), pf:

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.0033

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP150N3LLH6

STP150N3LLH6 - PDF-даташиты для загрузки или просмотра

1.1. std150n3llh6_stp150n3llh6_stu150n3llh6.pdf Size:945K _st

ltage (VGS = 0) 30 V VGS Gate-source voltage � 20 V ID (1) Drain current (continuous) at TC = 25 �C 80 A ID Drain current (continuous) at TC = 100 �C 80 A IDM (2) Drain current (pulsed) 320 A PTOT Total dissipation at TC = 25 �C 110 W Derating factor 0.73 W/�C EAS (3) Single pulse avalanche energy 525 mJ Tstg Storage temperature -55 to 175 �C Tj Max. operating junction temperature 175 �C 1. Limited by wire bonding 2. Pulse width limited by safe operating area 3. Starting Tj = 2

3.1. stb150nf55_stp150nf55_stw150nf55.pdf Size:564K _st

Unit VDS Drain-source voltage (VGS = 0) 55 V VDGR Drain-gate voltage (RGS = 20 k?)55 V VGS Gate- source voltage � 20 V ID(1) Drain current (continuous) at TC = 25�C 120 A ID(1) Drain current (continuous) at TC = 100�C 106 A IDM(2) Drain current (pulsed) 480 A Ptot Total dissipation at TC = 25�C 300 W Derating Factor 2 W/�C dv/dt (3) Peak diode recovery voltage slope 8 V/ns EAS (4) Single pulse avalanche energy 850 mJ Tstg Storage temperature -55 to 175 �C Tj Max. operating junction

3.2. stb150nf04_stp150nf04.pdf Size:495K _st

t TC = 100 �C 80 A IDM(2) Drain current (pulsed) 320 A Ptot Total dissipation at TC = 25 �C 300 W Derating factor 2 W/�C dv/dt (3) Peak diode recovery voltage slope 2 V/ns EAS (4) Single pulse avalanche energy 0.6 J Tstg Storage temperature -55 to 175 �C Tj Max. operating junction temperature 1. Current limited by package 2. Pulse width limited by safe operating area 3. ISD ? 80A, di/dt ? 300 A/�s, VDD= 80%V(BR)DSS 4. Starting Tj = 25 �C, ID= 40 A, VDD=30 V Table 3. Thermal resistan

Другие MOSET... STP141NF55 , STP14NF10 , STP14NF12 , STP14NF12FP , STP14NK50Z , STP14NK60Z , STP14NM50N , STP14NM65N , BF982 , STP150NF55 , STP15NK50Z , STP15NM60ND , STP15NM65N , STP160N75F3 , STP165N10F4 , STP16N65M5 , STP16NF06 .