IPP037N06L3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IPP037N06L3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90

Максимальная температура канала (Tj):

Время нарастания (tr):

Выходная емкость (Cd), pf:

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.0037

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP037N06L3G

IPP037N06L3G - PDF-даташиты для загрузки или просмотра

5.1. ipp030n10n3g_rev21.pdf Size:536K _infineon

94 188 - S fs I =100 A D 3) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70 �m thick) copper area for drain connection. PCB is vertical in still air. Rev. 2.1 page 2 2011-07-18 IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G Parameter Symbol Conditions Values Unit min. typ. max. Dynamic characteristics C Input capacitance - 11100 14800 pF iss V =0 V, V =50 V, GS DS C Output capacitance - 1940 2580 oss f =1 MHz C Reverse transfer capacitance - 69 - rss t Turn-on del

5.2. ipp030n10n3g_rev2[1].1.pdf Size:575K _infineon

9C5 D9=5 ? ? � . . DD G D G t -EB> ?66 45<1I D9=5 ? 4 ? ) t 1<< D9=5 ? ? !1D5 81B 5 81B13D5B9CD93C4) !1D5 D? C?EB35 381B75 ? 4 ? nC !1D5 D? 4B19> 381B75 ? ? . DD D ,G9D389>7 381B75 ? 4 ? D? . G !1D5 381B75 D?D1< ? 1 !1D5 @<1D51E F?1 5;01 9?45 3?>D9>?EC 6?BG1B4 3EBB5>D ? ? 1 T C 9?45 @ED ? ? 4 p l e . G 9?45 6?BG1B4 F?

5.3. ipp034n03l_rev2.0.pdf Size:726K _infineon

DSS T =25 �C j V =30 V, V =0 V, DS GS - 10 100 T =125 �C j I V =20 V, V =0 V - 10 100 nA Gate-source leakage current GSS GS DS Drain-source on-state resistance5) R DS(on) V GS=4.5 V, I D=30 A - 3.8 4.7 mW V =10 V, I =30 A - 2.8 3.4 GS D R Gate resistance - 1.6 - W G |V |>2|I |R , DS D DS(on)max g Transconductance 50 100 - S fs I =30 A D 2) See figure 3 for more detailed information 3) See figure 13 for more detailed information 4) Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm ep

Другие MOSET... IPP023N04NG , IPP023NE7N3G , IPP024N06N3G , IPP028N08N3G , IPP030N10N3G , IPP032N06N3G , IPP034N03LG , IPP034NE7N3G , IRL2505 , IPP037N08N3G , IPP039N04LG , IPP040N06N3G , IPP041N04NG , IPP041N12N3G , IPP042N03LG , IPP045N10N3G , IPP048N04NG .