MOSFET. Справочник. Даташиты

 

IRFB3306 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFB3306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 160

Максимальная температура канала (Tj):

Время нарастания (tr):

Выходная емкость (Cd), pf:

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.0042

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRFB3306

IRFB3306 PDF doc:

4.1. irfb33n15d_irfs33n15d_irfsl33n15d.pdf Size:142K _international_rectifier

IRFB3306
IRFB3306

PD- 93903 IRFB33N15D IRFS33N15D SMPS MOSFET IRFSL33N15D HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.056Ω 33A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current T

Другие MOSFET... IRFB3077G , IRFB31N20D , IRFB3206 , IRFB3206G , IRFB3207 , IRFB3207Z , IRFB3207ZG , IRFB3256 , APT50M38JLL , IRFB3306G , IRFB3307 , IRFB3307Z , IRFB3307ZG , IRFB33N15D , IRFB3507 , IRFB3607 , IRFB3607G .

 


IRFB3306
  IRFB3306
  IRFB3306
  IRFB3306
 
IRFB3306
  IRFB3306
  IRFB3306
  IRFB3306
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: RFP2N18L | RFL1P10 | RFL1P08 | RFL2N06L | RFL2N06 | RFL2N05L | RFL2N05 | RFL1N20L | RFL1N20 | RFL1N18L | RFL1N18 | RFL1N10 | RFL1N08 | SM7308CSKP | SM6043CSQ |
 

Введите не менее 2-х символов!