MOSFET. Справочник. Даташиты

 

IRF510 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF510

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.6

Максимальная температура канала (Tj): 150

Время нарастания (tr):

Выходная емкость (Cd), pf:

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.54

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для IRF510

IRF510 PDF doc:

1.1. irf510.pdf Size:151K _fairchild_semi

IRF510
IRF510

1.2. irf510a.pdf Size:252K _fairchild_semi

IRF510
IRF510

IRF510A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V n Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 ? n Rugged Gate Oxide Technology n Lower Input Capacitance ID = 5.6 A n Improved Gate Charge n Extended Safe Operating Area TO-220 n 175C Operating Temperature n Lower Leakage Current : 10 ?A (Max.) @ VDS = 100V n Lower RDS(ON) : 0.289 ? (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absol

1.3. irf510pbf.pdf Size:239K _international_rectifier

IRF510
IRF510

PD - 95364 IRF510PbF Lead-Free 6/10/04 Document Number: 91015 www.vishay.com 1 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 2 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 3 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 4 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 5 IRF510PbF Document Number: 91015 www.vishay.com 6 IRF510PbF TO-220AB Package Outline Dimen

1.4. irf510s.pdf Size:325K _international_rectifier

IRF510
IRF510

PD - 95540 IRF510SPbF Lead-Free SMD-220 7/21/04 Document Number: 91016 www.vishay.com 1 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 2 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 3 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 4 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 5 IRF510SPbF Document Number: 91016 www.vishay.com 6 IRF510SPbF Peak Diode Reco

1.5. irf510.pdf Size:175K _international_rectifier

IRF510
IRF510

1.6. irf510a.pdf Size:937K _samsung

IRF510
IRF510

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology ? RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area ? 175 Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V ? Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET... IRF450 , IRF451 , IRF452 , IRF453 , IRF460 , IRF4905 , IRF4905L , IRF4905S , FDS4435 , IRF510A , IRF510S , IRF511 , IRF512 , IRF513 , IRF520 , IRF520A , IRF520FI .

 


IRF510
  IRF510
  IRF510
  IRF510
 
IRF510
  IRF510
  IRF510
  IRF510
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: 2SK1202 | SIHFD123 | IRFD123 | IRF630MFP | SSM70T03J | SSM70T03H | AP9916J | AP9916H | RFP2N18L | RFL1P10 | RFL1P08 | RFL2N06L | RFL2N06 | RFL2N05L | RFL2N05 |
 

Введите не менее 2-х символов!