Справочник MOSFET. RFL2N06

 

RFL2N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFL2N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 85 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL2N06

RFL2N06 PDF doc:

1.1. rfl2n05l_rfl2n06l_rfp4n05l_rfp4n06l.pdf Size:255K _njs

RFL2N06
RFL2N06



4.1. rfl2n05_rlf2n06.pdf Size:89K _njs

RFL2N06
RFL2N06



Другие MOSFET... RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , IRF3710 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J .

 


RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
 
RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: 2SK642 | 2SK641 | SVF2N60D | SVF2N60T | SVF2N60F | SVF2N60M | FQP630 | FMR23N50E | FMV23N50E | FMH23N50E | STK0460F | UTC50N06L | TSP8N60M | TSF8N60M | STK630F |
 

Введите не менее 2-х символов!