MOSFET. Справочник. Даташиты

 

RFL2N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFL2N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2

Максимальная температура канала (Tj): 150

Время нарастания (tr): 14

Выходная емкость (Cd), pf: 85

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.95

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL2N06

RFL2N06 PDF doc:

1.1. rfl2n05l_rfl2n06l_rfp4n05l_rfp4n06l.pdf Size:255K _njs

RFL2N06
RFL2N06



4.1. rfl2n05_rlf2n06.pdf Size:89K _njs

RFL2N06
RFL2N06



Другие MOSFET... RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , IRF3710 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J .

 


RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
 
RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
  RFL2N06
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: IXFH50N50P3 | IXFQ50N50P3 | IXFT50N50P3 | IPF06N03LA | IPS06N03LA | IPU06N03LA | IPD06N03LA | 2SK1202 | SIHFD123 | IRFD123 | IRF630MFP | SSM70T03J | SSM70T03H | AP9916J | AP9916H |
 

Введите не менее 2-х символов!