MOSFET. Справочник. Даташиты

 

RFL1P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFL1P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1

Максимальная температура канала (Tj): 150

Время нарастания (tr): 15

Выходная емкость (Cd), pf: 80

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 3.65

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL1P10

RFL1P10 PDF doc:

1.1. rfl1p08_rfl1p10.pdf Size:85K _njs

RFL1P10
RFL1P10



Другие MOSFET... RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , BUZ11 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 .

 


RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
 
RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: IXFH50N50P3 | IXFQ50N50P3 | IXFT50N50P3 | IPF06N03LA | IPS06N03LA | IPU06N03LA | IPD06N03LA | 2SK1202 | SIHFD123 | IRFD123 | IRF630MFP | SSM70T03J | SSM70T03H | AP9916J | AP9916H |
 

Введите не менее 2-х символов!