Справочник MOSFET. RFL1P10

 

RFL1P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFL1P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.65 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL1P10

RFL1P10 PDF doc:

1.1. rfl1p08_rfl1p10.pdf Size:85K _njs

RFL1P10
RFL1P10



Другие MOSFET... RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , BUZ11 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 .

 


RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
 
RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: 2SK642 | 2SK641 | SVF2N60D | SVF2N60T | SVF2N60F | SVF2N60M | FQP630 | FMR23N50E | FMV23N50E | FMH23N50E | STK0460F | UTC50N06L | TSP8N60M | TSF8N60M | STK630F |
 

Введите не менее 2-х символов!