| |
IXFX90N30
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: IXFX90N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd):
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90
Максимальная температура канала (Tj): 150
Время нарастания (tr):
Выходная емкость (Cd), pf:
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.033
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IXFX90N30
IXFX90N30
- PDF-даташиты для загрузки или просмотра
1.1. ixfx90n30_ixfk90n30.pdf  Size:125K _ixys  |
 | 10000 pF
Coss VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz 1800 pF
Crss 700 pF
td(on) 42 ns
tr VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25 55 ns
td(off) RG = 1 ? (External), 100 ns
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain (Collector)
tf 40 ns
3 - Source (Emitter)
4 - Drain (Collector)
Qg(on) 360 nC
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
Qgs VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25 60 nC
A 4.83 5.21 .190 .205
Qgd 180 nC
A1 2.29 2.54 .090 .100
A2 1.91 2.16 .075 .085
RthJC 0.22 K/W
b 1.14 1.40 .04 |
3.1. ixfx90n20q_ixfk90n20q.pdf Size:52K _ixys  |
 | s VDS = 10 V; ID = 0.5 ID25 Note 1 40 50 S
Ciss 6800 pF
Coss VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz 1620 pF
Crss 480 pF
td(on) 35 ns
tr VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25 31 ns
td(off) RG = 1 ? (External), 82 ns
tf 12 ns
Dim. Millimeter Inches
Min. Max. Min. Max.
Qg(on) 190 nC
A 4.83 5.21 .190 .205
A1 2.29 2.54 .090 .100
Qgs VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS, ID = 0.5 ID25 40 nC
A2 1.91 2.16 .075 .085
Qgd 90 nC b 1.14 1.40 .045 .055
b1 1.91 2.13 .075 .084
b2 2.92 3.12 .115 |
Другие MOSET... IXFX28N60
, IXFX32N50Q
, IXFX34N80
, IXFX44N60
, IXFX48N50Q
, IXFX50N50
, IXFX55N50
, IXFX90N20Q
, 2SK2866
, IXTA1N100
, IXTA2N80
, IXTH10N100
, IXTH10N90
, IXTH10P50
, IXTH11N80
, IXTH11P50
, IXTH12N100
.
|
