STV60N03L-12
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: STV60N03L-12
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60
Максимальная температура канала (Tj): 150
Время нарастания (tr):
Выходная емкость (Cd), pf:
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.012
Тип корпуса: PowerSO10
Аналог (замена) для STV60N03L-12
STV60N03L-12
- PDF-даташиты для загрузки или просмотра
4.1. stv60ne06-16.pdf  Size:123K _st2  |
 | Pulse Avalanche Energy 350 mJ
(starting Tj = 25 oC, ID = IAR, VDD = 25 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J = - 40 to 150 oC unless otherwise specified)
OFF
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
V(BR)DSS Drain-source ID = 250 A VGS = 0 60 V
Breakdown Voltage
I Zero Gate Voltage V = Max Rating 1 A
DSS DS
Drain Current (VGS = 0) VDS = Max Rating Tc =125 oC 10 A
IGSS Gate-body Leakage VGS = 20 V 100 nA
Current (VDS = 0)
ON (?)
Symbol Parameter Test Conditions Min. |
Другие MOSET... STV4NA60
, STV4NA80
, STV50N05
, STV50N06
, STV55N05L
, STV55N06L
, STV5NA50
, STV5NA80
, 2SK955
, STV60N05
, STV60N05-16
, STV60N06
, STV6NA60
, STV7NA40
, STV7NA60
, STV8NA50
, STW12N60
.
|
