FDS3590 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FDS3590

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd):

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs):

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5

Максимальная температура канала (Tj):

Время нарастания (tr):

Выходная емкость (Cd), pf:

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.037

Тип корпуса: SOIC

Аналог (замена) для FDS3590

FDS3590 - PDF-даташиты для загрузки или просмотра

1.1. fds3590.pdf Size:86K _fairchild_semi

�C mV/�C ===?TJ Coefficient IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 64 V, VGS = 0 V 1 �A IGSSF Gate�Body Leakage, Forward VGS = 20 V, VDS = 0 V 100 nA IGSSR Gate�Body Leakage, Reverse VGS = �20 V, VDS = 0 V �100 nA On Characteristics (Note 2) VGS(th)n Gate Threshold Voltage 24 V VDS = VGS, ID = 250 �A Gate Threshold Voltage �6 ?VGS(th) ID = 250 �A, Referenced to 25�C mV/�C ===?TJ Temperature Coefficient RDS(on) Static Drain�Source VGS = 10 V, ID = 6.5 A 32 39 m? On�Resistance 61

5.1. fds3512.pdf Size:86K _fairchild_semi

ltage Temperature 80 ?BVDSS ID = 250 �A, Referenced to 25�C mV/�C Coefficient ?TJ IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 64 V, VGS = 0 V 1 �A IGSSF Gate�Body Leakage, Forward VGS = 20 V, VDS = 0 V 100 nA IGSSR Gate�Body Leakage, Reverse VGS = �20 V, VDS = 0 V �100 nA On Characteristics (Note 2) VGS(th)n Gate Threshold Voltage 2 2.4 4 V VDS = VGS, ID = 250 �A Gate Threshold Voltage �6 ?VGS(th) ID = 250 �A, Referenced to 25�C mV/�C Temperature Coefficient ?TJ RDS(o

5.2. fds3580.pdf Size:83K _fairchild_semi

ature 81 ID = 250 �A, Referenced to 25�C mV/�C ?TJ Coefficient �A IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 64 V, VGS = 0 V 1 IGSSF Gate-Body Leakage, Forward VGS = 20 V, VDS = 0 V 100 nA IGSSR Gate-Body Leakage, Reverse VGS = -20 V, VDS = 0 V -100 nA (Note 2) On Characteristics VGS(th) Gate Threshold Voltage 2 2.5 4 V VDS = VGS, ID = 250 �A ?VGS(th) Gate Threshold Voltage -7 ID = 250 �A, Referenced to 25�C mV/�C ?TJ Temperature Coefficient ? RDS(on) Static Drain-Source VGS =

5.3. fds3572.pdf Size:628K _fairchild_semi

.6A, VGS = 6V - 0.019 0.029 rDS(ON) Drain to Source On Resistance ? ID = 8.9A, VGS = 10V, - 0.027 0.032 TA= 150oC Dynamic Characteristics CISS Input Capacitance - 1990 - pF VDS = 25V, VGS = 0V, COSS Output Capacitance - 320 - pF f = 1MHz CRSS Reverse Transfer Capacitance - 85 - pF Qg(tot) Total Gate Charge at 10V VGS = 0V to 10V - 31 41 nC Qg(TH) Threshold Gate Charge VGS = 0V to 2V - 4 5.2 nC VDD = 40V Qgs Gate to Source Gate Charge ID = 8.9A - 9 - nC Ig = 1.0mA Qgs2 Gate Charg

Другие MOSET... FDS2670 , FDS2672 , FDS2672 , FDS2672_F085 , FDS2672_F085 , FDS2734 , FDS3512 , FDS3572 , IRF150 , FDS3672 , FDS3672 , FDS3692 , FDS3692 , FDS3890 , FDS3992 , FDS3992 , FDS4141 .