MJD200-1
- описание производителя. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов. Наименование производителя: MJD200-1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 120
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для MJD200-1
MJD200-1
- PDF-даташиты для просмотра или загрузки онлайн бесплатно...
4.1. mjd200re_mjd210.pdf  Size:236K _motorola  |
 | I
IIII III
IIII III
Base Current IB 1 Adc
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIII III
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIII III
IIII III
IIII III
Total Device Dissipation @ TC = 25_C PD 12.5 Watts
MINIMUM PAD SIZES
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIII III
IIII III
IIII III
Derate above 25_C 0.1 W/_C
RECOMMENDED FOR
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIIIIIIIIIIII IIIIII
IIII III
IIII III
IIII III
Total Device Dissi |
4.2. mjd200_mjd210.pdf Size:48K _st  |
 | .
2/4
MJD200 / MJD210
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
mm inch
DIM.
MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX.
A 2.2 2.4 0.086 0.094
A1 0.9 1.1 0.035 0.043
A2 0.03 0.23 0.001 0.009
B 0.64 0.9 0.025 0.035
B2 5.2 5.4 0.204 0.212
C 0.45 0.6 0.017 0.023
C2 0.48 0.6 0.019 0.023
D 6 6.2 0.236 0.244
E 6.4 6.6 0.252 0.260
G 4.4 4.6 0.173 0.181
H 9.35 10.1 0.368 0.397
L2 0.8 0.031
L4 0.6 1 0.023 0.039
H
DETAIL "A"
L2 D
DETAIL "A"
L4
0068772-B
3/4
A
C2
A1
C
A2
B
E
G
B2
==
==
==
1
|
4.3. mjd200_mjd210.pdf Size:132K _onsemi  |
 | eliability.
1. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad
sizes recommended.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
1 Publication Order Number:
January, 2011 - Rev. 10 MJD200/D
MJD200 (NPN) MJD210 (PNP)
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case RqJC 10 C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 2) RqJA 89.3 C/W
2. These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes re |
Другие транзисторы... MJD122-1
, MJD122T4
, MJD127
, MJD127-1
, MJD127T4
, MJD13003
, MJD148
, MJD200
, 2SA733
, MJD210
, MJD210-1
, MJD210T4
, MJD243
, MJD243-1
, MJD243T4
, MJD2955
, MJD2955-1
.
|
