RN1423 - описание производителя. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: RN1423

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 0

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 0

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8

Предельная температура PN-перехода (Tj), град:

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 0

Корпус транзистора: SOT-346_SC-59_S-Mini

Аналоги (замена) для RN1423

RN1423 PDF doc:

5.1. rn1421_rn1427_100820.pdf Size:552K _toshiba

RN1421?RN1427 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1421,RN1422,RN1423,RN1424 RN1425,RN1426,RN1427 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mm and Driver Circuit Applications High current type (IC (max) = 800mA) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Low VCE (sat) Complementary to RN2421 to RN2427 Equivalent Circuit and Bias Resister Values Type No. R1 (k?) R2 (k?) RN1421 1 1 RN1422 2.2 2.2 RN1423 4.7 4.7 S-Mini RN1424 10 10 JEDEC TO-236MOD RN1425 0.47 10 JEITA SC-59 RN1426 1 10 TOSHIBA 2-3F1A RN1427 2.2 10 Weight: 12 mg (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25�C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 50 V RN1421 to 1427 Collector-emitter voltage VCEO 50 V RN1421 to 1424 10 Emitter-base voltage RN1425, 1426 VEBO 5 V RN1427 6 Collector current IC 800 mA Colle

Другие транзисторы... RN1413 , RN1414 , RN1415 , RN1416 , RN1417 , RN1418 , RN1421 , RN1422 , BC157 , RN1424 , RN1425 , RN1426 , RN1427 , RN1441 , RN1442 , RN1443 , RN1444 .