Справочник транзисторов. CXT591E

 

CXT591E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: CXT591E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для CXT591E

CXT591E Datasheet PDF:

1.1. cxt591e.pdf Size:528K _central

CXT591E
CXT591E

CXT591E www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION: PNP TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT591E is a silicon PNP transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high current, general purpose amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBER SOT-89 CASE MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL UNITS Collect

Другие транзисторы... CXT3090L , CXT3150 , CXT3410 , CXT3820 , CXT491E , CXT5401E , CXT5551E , CXT5551HC , 2N4403 , CXT7090L , CXT7410 , CXT7820 , RN2609 , CTLM3410-M832D , CTLM3474-M832D , CTLM7410-M832D , CTLT3410-M621 .

 


CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
 
CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
  CXT591E
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: SD1733 | SD1730 | SD1729 | SD1728 | SD1726 | SD1540 | SD1536-03 | SD1490 | SD1489 | SD1487 | SD1480 | SD1462 | SD1460 | SD1459 | SD1458 | SD1455 | SD1448 | SD1446 | SD1439 | SD1434 |


Введите не менее 2-х символов!