Все транзисторы. Справочник

 

TH562 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: TH562

Маркировка: SD1731

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 233

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ: 330

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора: SOT121

Аналоги (замена) для TH562

TH562 PDF:

1.1. th562.pdf Size:264K _update

TH562
TH562

HG RF POWER TRANSISTOR TH562 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR SD1731 (TH562) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .EFFICIENCY 40% .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 220 W PEP WITH 13 dB GAIN OUT .500 4LFL (M174) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1731 TH562 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1

Другие транзисторы... TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , BC148 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY .

 


TH562
  TH562
  TH562
  TH562
 
TH562
  TH562
  TH562
  TH562
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: NSVMMUN2235LT1G | NSVMMUN2233LT3G | NSVMMUN2232LT3G | NSVMMUN2232LT1G | NSVMMUN2230LT1G | NSVMMUN2217LT1G | NSVMMUN2212LT1G | NSVMMUN2135LT1G | NSVMMUN2133LT1G | NSVMMUN2132LT1G | NSVMMUN2131LT1G | NSVMMUN2113LT3G | NSVMMUN2112LT1G | NSBA144WF3T5G | NSBA144WF3 | NSBA144WDXV6T1G | NSBA144WDXV6 | NSBA144WDP6T5G | NSBA144WDP6 | NSBA144TF3T5G |

Введите не менее 2-х символов!