Все транзисторы. Справочник

 

THA42TTD03 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.

Наименование производителя: THA42TTD03

Маркировка: 1D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 310

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 305

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2

Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 150

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50

Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: WBFBP-03A

Аналоги (замена) для THA42TTD03

THA42TTD03 PDF:

1.1. tha42ttd03.pdf Size:171K _update

THA42TTD03
THA42TTD03

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA42TTD03 TRANSISTOR C DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03A (1.6×1.6×0.5) TOP unit: mm FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Ta=25℃) B E APPLICATION C 1. BASE High Voltage Amplifier 2. EMITTER For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP

Другие транзисторы... TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , TH562 , THA15 , 9013 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY , TSD1760CP , TSD1858CH .

 


THA42TTD03
  THA42TTD03
  THA42TTD03
  THA42TTD03
 
THA42TTD03
  THA42TTD03
  THA42TTD03
  THA42TTD03
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: NSVMMUN2235LT1G | NSVMMUN2233LT3G | NSVMMUN2232LT3G | NSVMMUN2232LT1G | NSVMMUN2230LT1G | NSVMMUN2217LT1G | NSVMMUN2212LT1G | NSVMMUN2135LT1G | NSVMMUN2133LT1G | NSVMMUN2132LT1G | NSVMMUN2131LT1G | NSVMMUN2113LT3G | NSVMMUN2112LT1G | NSBA144WF3T5G | NSBA144WF3 | NSBA144WDXV6T1G | NSBA144WDXV6 | NSBA144WDP6T5G | NSBA144WDP6 | NSBA144TF3T5G |

Введите не менее 2-х символов!