D16E9
Transistor Datasheet. Parameters and Characteristics. Type Designator: D16E9
Material of transistor: Si
Polarity: NPN
Maximum collector power dissipation (Pc), W: 0.2
Maximum collector-base voltage |Ucb|, V: 30
Maximum collector-emitter voltage |Uce|, V: 12
Maximum emitter-base voltage |Ueb|, V: 3
Maximum collector current |Ic max|, A: 0.025
Maximum junction temperature (Tj), °C: 150
Transition frequency (ft), MHz: 135
Collector capacitance (Cc), pF:
Forward current transfer ratio (hFE), min: 60
Noise Figure, dB: - Package of D16E9
transistor: TO92
D16E9
Equivalent Transistors - Cross-Reference Search D16E9
PDF document for downloads: PDF unavailable! See also transistors datasheet: D12E026
, D12E109
, D12E126
, D12X043
, D12X047
, D150
, D1666
, D16E7
, TIP41C
, D16G6
, D16K1
, D16K2
, D16K3
, D16K4
, D16P1
, D16P2
, D16P3
. Keywords| D16E9
Datasheet | D16E9
Datenblatt | D16E9
RoHS | D16E9
Distributor | | D16E9
Application Notes | D16E9
Component | D16E9
Circuit | D16E9
Schematic | | D16E9
Equivalent | D16E9
Cross Reference | D16E9
Data Sheet | D16E9
Fiche Technique |
|
