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GaAs-IR-Lumineszenzdiode LD 274 GaAs Infrared Emitter Area not flat 9.0 0.6 8.2 0.4 5.9 7.8 5.5 7.5 1.8 5.7 0.6 5.1 0.4 1.2 29 Chip position 27 GEX06260 Cathode (Diode) Collector (Transistor) Approx. weight 0.5 g Ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features Sehr enger Abstrahlwinkel Extremely narrow half angle GaAs-IR-LED, hergestellt im GaAs infrared emitting diode, fabricated in a Schmelzepitaxieverfahren liquid phase epitaxy process Hohe Zuverlassigkeit High reliability Hohe Impulsbelastbarkeit High pulse handling capability Gruppiert lieferbar Available in groups Gehausegleich mit SFH 484 Same package as SFH 484 Anwendungen Applications IR-Fernsteuerung von Fernseh- und IR remot