Alle IGBT. SKM75GAL123D Datenblatt

 

SKM75GAL123D . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SKM75GAL123D

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 460W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1200V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 3V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 75A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit:

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse:

Ersatz (vergleichstyp) für SKM75GAL123D Transistor

 

SKM75GAL123D Datasheet (PDF)

1.1. skm75gal123d.pdf Size:538K _igbt

SKM75GAL123D
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2.1. skm75gal063d.pdf Size:786K _igbt

SKM75GAL123D
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3.1. skm75gar063d.pdf Size:786K _igbt

SKM75GAL123D
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