Alle IGBT. SM2G200US60 Datenblatt

 

SM2G200US60 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SM2G200US60

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.1V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 200A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 100

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: 7PM-BB

Ersatz (vergleichstyp) für SM2G200US60 Transistor

 

SM2G200US60 Datasheet (PDF)

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