Alle IGBT. SMBH1G150US60 Datenblatt

 

SMBH1G150US60 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SMBH1G150US60

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.1V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 150A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 90

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: 7PM-BB

Ersatz (vergleichstyp) für SMBH1G150US60 Transistor

 

SMBH1G150US60 Datasheet (PDF)

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