Alle IGBT. SME6G10US60 Datenblatt

 

SME6G10US60 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SME6G10US60

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.1V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 10A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 110

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: 17PM-BA

Ersatz (vergleichstyp) für SME6G10US60 Transistor

 

SME6G10US60 Datasheet (PDF)

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