Alle IGBT. SNG40660 Datenblatt

 

SNG40660 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SNG40660

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 250W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 1.8V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 60A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 700

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO258

Ersatz (vergleichstyp) für SNG40660 Transistor

 

SNG40660 Datasheet (PDF)

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