Alle IGBT. IXBF9N160G Datenblatt

 

IXBF9N160G . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXBF9N160G

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 4.9V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 7A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C:

Anstiegszeit: 70

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: ISOPLUS_i4-PAC(3-Lead)

Ersatz (vergleichstyp) für IXBF9N160G Transistor

 

IXBF9N160G Datasheet (PDF)

1.1. ixbf9n160g.pdf Size:82K _ixys

IXBF9N160G
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IXBF 9N160 G IC25 = 7 A High Voltage VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 4.9 V in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM tf = 70 ans Monolithic Bipolar MOS Transistor 1 5 Features IGBT High Voltage BIMOSFETTM Symbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop VCES TVJ = 25C to 150C 1600 V - MOSFET compatible control VGES

1.2. ixbf9n160g.pdf Size:82K _igbt

IXBF9N160G
IXBF9N160G

IXBF 9N160 G IC25 = 7 A High Voltage VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 4.9 V in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM tf = 70 ans Monolithic Bipolar MOS Transistor 1 5 Features IGBT • High Voltage BIMOSFETTM Symbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop VCES TVJ = 25°C to 150°C 1600 V - MOSFET compatible control

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