Alle IGBT. IXBT32N300 Datenblatt

 

IXBT32N300 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXBT32N300

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 3000V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 3.2V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 80A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C:

Anstiegszeit: 720

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO268

Ersatz (vergleichstyp) für IXBT32N300 Transistor

 

IXBT32N300 Datasheet (PDF)

1.1. ixbt32n300.pdf Size:172K _igbt

IXBT32N300
IXBT32N300

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH32N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT32N300 IC110 = 32A Bipolar MOS Transistor ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.2V ≤ ≤ TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25°C to 150°C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 3000 V C E VGES Continuous ± 20 V VGEM Transient ± 30 V

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