Alle IGBT. IXBT6N170 Datenblatt

 

IXBT6N170 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IXBT6N170

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1700V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 3.4V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 10A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C:

Anstiegszeit: 690

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO268

Ersatz (vergleichstyp) für IXBT6N170 Transistor

 

IXBT6N170 Datasheet (PDF)

1.1. ixbt6n170.pdf Size:178K _igbt

IXBT6N170
IXBT6N170

High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH6N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT6N170 IC90 = 6A Bipolar MOS Transistor ≤ VCE(sat) ≤ ≤ 3.4V ≤ ≤ TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25°C to 150°C 1700 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 1700 V G VGES Continuous ± 20 V C (TAB) C E VGEM Transient ± 30 V IC25 TC = 25°C 12 A TO-268 (IXBT)

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