Alle IGBT. G7N60C3D Datenblatt

 

G7N60C3D . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: G7N60C3D

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 60W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20V

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 14A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 8.5

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO220AB

Ersatz (vergleichstyp) für G7N60C3D Transistor

G7N60C3D Datasheet (PDF)

5.1. hgtp7n60a4_hgtg7n60a4_hgt1s7n60a4.pdf Size:173K _fairchild_semi

G7N60C3D
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