Alle IGBT. MWI200-06A8 Datenblatt

 

MWI200-06A8 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt

Typenbezeichnung: MWI200-06A8

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vce sat): 2V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 225A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C:

Anstiegszeit:

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: E3

Ersatz (vergleichstyp) für MWI200-06A8 Transistor

 

MWI200-06A8 Datasheet (PDF)

1.1. mwi200-06a8.pdf Size:71K _igbt

MWI200-06A8
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MWI 200-06 A8 IC25 = 225 A IGBT Modules VCES = 600 V Sixpack VCE(sat) typ.= 2.0 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13, 21 Preliminary data 1 5 9 2 6 10 19 17 15 3 7 11 E72873 4 8 12 See outline drawing for pin arrangement 14, 20 Features IGBTs €€NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings €€low saturation voltage €€low switching losses VCE

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